Giải pháp kiểm tra chất bán dẫn điện IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện)

IGBT, một thiết bị bán dẫn công suất cải tiến, đóng vai trò như một công tắc tự chốt có thể điều khiển tại hiện trường, kết hợp hiệu suất tốc độ cao của MOSFET công suất với điện trở thấp của thiết bị lưỡng cực. Nó có trở kháng đầu vào cao, tiêu thụ điện năng thấp khi điều khiển điện áp, mạch điều khiển đơn giản, khả năng chịu điện áp cao và khả năng xử lý dòng điện lớn. IGBT là thành phần then chốt để chuyển đổi và truyền tải năng lượng, tích hợp liền mạch các thế mạnh của MOSFET điện và thiết bị lưỡng cực để tối ưu hóa quản lý năng lượng trong các ứng dụng khác nhau.

Trên phạm vi toàn cầu, công nghệ IGBT tiên tiến và bằng sáng chế chủ yếu được kiểm soát bởi các công ty ở Châu Âu và Hoa Kỳ. Tuy nhiên, trong những năm gần đây, công nghệ IGBT nội địa ở Trung Quốc đã phát triển nhanh chóng, dần phá vỡ thế độc quyền của các nhà sản xuất nước ngoài. Hiện tại, IGBT là một ngành chiến lược mới nổi ở Trung Quốc, tìm kiếm các ứng dụng rộng rãi trong xe điện, thiết bị năng lượng mới, vận tải đường sắt, lưới điện thông minh, hàng không vũ trụ, v.v.

Việc phát triển chip IGBT, đóng gói mô-đun và ứng dụng mô-đun đòi hỏi phải có thiết bị kiểm tra hiệu suất cao để đảm bảo chất lượng sản phẩm. Yuan'an Technology Power đi sâu vào thử nghiệm các đặc tính động và tĩnh của IGBT, nâng cao hiệu suất sản phẩm, tích hợp các hệ thống lập trình khác nhau và xác định lại chức năng cung cấp điện để mang lại trải nghiệm thông minh và thuận tiện hơn trong thử nghiệm IGBT.

Đặc tính động của IGBT

Các đặc tính động của IGBT chủ yếu đề cập đến quá trình bật và tắt của nó, liên quan đến sự chuyển đổi lặp đi lặp lại của IGBT giữa trạng thái dẫn điện và không dẫn điện. Việc kiểm tra các đặc điểm động này bao gồm đánh giá các tham số như thời gian trễ bật và tắt, thời gian tăng, thời gian giảm, v.v. Phân tích này cung cấp cái nhìn sâu sắc về hiệu suất của IGBT trong các quá trình chuyển đổi quan trọng này.

IGBT có ba thiết bị đầu cuối: C (Collector), G (Cổng) và E (Emitter). Thông thường, một điện áp trong khoảng -15V đến +15V được đặt giữa G và E để điều khiển IGBT, điều khiển sự dẫn hoặc không dẫn của nó bằng cách xen kẽ các điện áp dương và âm.

Đặc tính tĩnh

Các đặc tính tĩnh của IGBT bao gồm các đặc tính dòng điện áp (VI) và đặc tính truyền tải. Những thử nghiệm này thường liên quan đến việc duy trì môi trường điện ổn định trong thời gian dài. Điện áp nguồn cổng tối đa bị giới hạn bởi dòng cực đại của bộ thu, với giá trị tối ưu thường là khoảng 15V.

IGBT được phân loại dựa trên các cấp điện áp, thường dao động từ 300V, 600V, 900V, 1200V, 1700V, 3300V, 6500V, v.v. Đối với mô-đun IGBT của xe điện, các mẫu phổ biến bao gồm những mô-đun có điện áp 650V và dòng điện 550A. Việc kiểm tra các mô-đun này bao gồm kiểm tra giá trị định mức, kiểm tra đặc tính, kiểm tra độ bền và độ tin cậy.

Trong thử nghiệm giá trị định mức, Xuân'an Technology khuyến nghị sử dụng nhiều thiết bị khác nhau như bộ nguồn DC đa chức năng có thể lập trình dòng HY-PM, bộ nguồn DC lập trình siêu mỏng dòng HY-S 1U, bộ nguồn DC điện áp cao lập trình dòng HY-HV nguồn điện, nguồn điện DC công suất cao có thể lập trình HY-HP, v.v.

Bộ nguồn của Yuan'an Technology, với nhiều năm cống hiến cho thử nghiệm IGBT, cho thấy hiệu suất và độ ổn định cao trong các tình huống liên quan đến công suất cao, điện áp cao và dòng điện lớn. Các sản phẩm của họ, nổi tiếng với độ chính xác và độ phân giải cực cao, đã nhận được sự tin tưởng và công nhận từ khách hàng.

Sản phẩm cung cấp điện thử nghiệm IGBT

Bộ nguồn DC điện áp cao có thể lập trình dòng HY-HV

• Điện áp đầu ra tối đa: 50kV

• Mật độ công suất cao: Lên tới 20kW mỗi đơn vị

• Chế độ Điện áp không đổi (CV)/Dòng điện không đổi (CC) với cài đặt ưu tiên CV/CC

• Hỗ trợ lập trình bảng mặt trước; không cần điều khiển phần mềm máy tính phía trên

• Có thể điều chỉnh độ dốc tăng giảm theo điện áp và dòng điện

• Chức năng khởi động mềm cho đầu ra nguồn điện

• Bộ chuyển đổi có độ chính xác cao 16-bit D/A cho đầu ra chính xác

• Bộ chuyển đổi A/D 20-bit có độ chính xác cao để đọc chính xác trong quá trình phản hồi

• Tải video đo thời gian thực có sẵn để hiểu rõ hơn

Bộ nguồn DC lập trình siêu mỏng HY-S Series 1U